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STF14NM65N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 12:34
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF12NK65Z
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 16:08
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF12NK80Z
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 16:24
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF13NM60N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 13:02
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF15NM60N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 12:47
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF12NM50N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 16:19
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF14NM50N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 13:21
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF12NK60Z
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 13:34
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF10NM65N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 17:27
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF11NM50N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 23:34
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF11NM60N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 13:27
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF10NM50N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 17:31
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF10NM60N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 17:51
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF10NM60N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-10-23 17:46
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF12NM50N
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-07-18 10:47
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
STF12NK65Z
意法
半
導(dǎo)體
’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法
半
導(dǎo)體
’面
2013-06-26 16:49
[廣東深圳]
深圳市福田區(qū)華帝電子商行
[未核實(shí)]
¥
1.00
/普通
1普通起訂
高加速壽命試驗(yàn)機(jī)
高加速壽命試驗(yàn)機(jī)縮短研發(fā)周期,迅速確認(rèn)
半
導(dǎo)體
元器件可靠性的試驗(yàn)裝置高加速壽命試驗(yàn)縮短了
半
導(dǎo)體
元器件溫濕度試驗(yàn)的時(shí)間,通過(guò)
2015-04-07 18:36
[廣東深圳]
深圳市帕特騰飛科技有限公司
[未核實(shí)]
¥
180000.00
/臺(tái)
1臺(tái)起訂
GAISER瓷嘴,馬達(dá)連軸器,固
鑫明亮電子有限公司配合于
半
導(dǎo)體
IC、LED光電產(chǎn)業(yè)、自動(dòng)化設(shè)備、維修保養(yǎng)服務(wù)的公司。鑫明亮電子提供質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的
半
導(dǎo)體
相關(guān)設(shè)備及
2011-06-29 11:38
[廣東深圳]
鑫明亮電子(深圳)有限公司
[未核實(shí)]
¥
1.00
/件
1件起訂
鎢鋼吸嘴,鎢鋼頂針,馬達(dá)碳刷,自
鑫明亮電子有限公司配合于
半
導(dǎo)體
IC、LED光電產(chǎn)業(yè)、自動(dòng)化設(shè)備、維修保養(yǎng)服務(wù)的公司。鑫明亮電子提供質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的
半
導(dǎo)體
相關(guān)設(shè)備及
2011-06-29 11:38
[廣東深圳]
鑫明亮電子(深圳)有限公司
[未核實(shí)]
¥
1.00
/件
1件起訂
4000A戶外鋁
導(dǎo)體
穿墻套管
7. CWWL-10KV/(2000-4000)A戶外鋁
導(dǎo)體
穿墻套管使用環(huán)境條件環(huán)境溫度不高于+40℃,不低于-40℃海拔不超過(guò)l000m相對(duì)濕度月平均值
2015-07-09 14:08
[河北廊坊]
霸州市捷力達(dá)電力器材廠
[未核實(shí)]
面議
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