意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術增強了功率處理能力，從而實現(xiàn)了高效解決方案。
產(chǎn)品的主要特性包括：
擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V
30多種封裝選項，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV
為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝）
改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求
面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管
在各個支持負載點、電信DC-DC轉換器、PFC、開關模式電源和汽車設備等應用的電壓范圍內，意法半導體都有符合您設計要求的MOSFET。
意法半導體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉換器）的理想之選，同時還支持PFC、TTF或反激式硬開關拓撲。與上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運行。
STF11NM60ND
N-channel 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Power MOSFET TO-220FP
活性
The device is an N-channel FDmesh? II Power MOSFET that belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode.It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
下載 數(shù)據(jù)表
Key Features
The worldwide best RDS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
400-6352-900
