磁性分離器直銷

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在圖1的磁選機(jī)中，兩個磁系完全相同，故只計算一個；

系都有上下兩個分選空間。分選環(huán)內(nèi)裝波浪板作聚磁介質(zhì)

5塊，每兩塊間的縫隙為2mm，共有4條縫隙，靠近分選

壁的波浪板與分選環(huán)內(nèi)外壁緊密接觸，無縫隙，故分選空

隙為4×2=8mm。分選環(huán)內(nèi)外壁與磁極頭間的間隙各為

，共4mm；上下兩個分選空間的總間隙δ 為（8+4）×2=

=2.4cm。為了使總磁勢有所富余，取K=0.3，此時總磁勢

（IN）總 

由圖1及前述工作原理可知，本機(jī)的關(guān)鍵部件及設(shè)計重點均

系部分，特別是鞍形線圈部分。在本文以前，高梯度磁選的

設(shè)計還沒有突破傳統(tǒng)的磁路設(shè)計范疇。在設(shè)計磁系的核心部

——鞍形線圈時，常常用下式確定其磁勢，即所需安匝數(shù)。

IN=σHδ/0.4π （1）

H———設(shè)計要求的場強；

δ———分選空間高度；

σ———漏磁系數(shù)。

理論分析可知，σ不僅涉及到漏磁，也與鐵鎧消耗的磁勢有

因而是較廣義的漏磁系數(shù)，有時也稱為放大系數(shù)。漏磁系數(shù)

確定是很困難的，以前的設(shè)計者只能憑經(jīng)驗來選擇。然而，σ

系設(shè)計中非常關(guān)鍵的一個參數(shù)，σ 過小，磁系達(dá)不到設(shè)計場

σ過大，則會導(dǎo)致制造成本和能耗的增加。

如要計算圖4中斷面為ABCD的柱體在O點的場強，則可將

柱體分成相等的兩部分 ABEF及 EFCD。求出柱體 ABEF（或

EFCD）在O點的場強，然后乘2即可。計算柱體ABEF在 O點的

場強，可仿照前述方法，即 SABEF=SAEOH -SBFOH，再按式（5）計算

Hx、Hy。如果O點不在HG中點，則要分別計算ABEF和CDEF兩

柱體在O點的場強，然后疊加。

與求矩形線圈的方法相同，將鞍形線圈分布如圖5所示的幾

分。圖5a是中間部分，圖5b是左端部，右端與左端相同，故未

出。這是鞍形線圈的上半部，下半部與上半部亦相同，未畫出。

上半部A、B、C、D及 C′、D′（C′、D′是右端部）各段柱體在 O

的場強分別求出，然后疊加再乘以2即為整個線圈在 O點的

強。

如果只計算y向的場強 Hy，端部 D段可以不算，因為它對

沒有貢獻(xiàn)。