機(jī)床導(dǎo)軌淬火設(shè)備突出優(yōu)點(diǎn):
1,采用IGBT,國(guó)際先進(jìn)器件,不要老式可控硅,效率比老式可控硅中頻提高30%-40%,節(jié)電30%-40%。
2,設(shè)備頻率可根據(jù)用戶所加工工件要求,一般為25-35KHz,適宜淬硬層為1.5 -4mm,淬硬層適中。硬度符合要求,變形量小。
3,材料為HT200-HT300時(shí),硬度為HRC45-53。13,無可控硅中頻的嘯叫噪音。
4,感應(yīng)器做工精細(xì),根據(jù)用戶導(dǎo)軌面結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)制作感應(yīng)器,若導(dǎo)軌面過寬,感應(yīng)器做成單邊淬,若導(dǎo)軌面窄,可雙邊一次淬。
5,速度比中頻快1/3。
6,感應(yīng)器與導(dǎo)軌面之間的間隙控制采用導(dǎo)軌定位,避免感應(yīng)器與床面之間接觸打火,間隙始終保持一致、溫度均勻、硬度一致。
7,本設(shè)備為串聯(lián)諧振電路拓?fù)?,感?yīng)器為隔離 懸浮電壓,安全;而可控硅中頻為并聯(lián)諧振,感應(yīng)器為直接電壓500V,如絕緣破損受潮,則有不安全之慮。設(shè)有全面的保護(hù)回路。如水溫、水壓、電壓、電流等,確保設(shè)備正常工作。
8,本設(shè)備采用國(guó)際最先進(jìn)的PWM控制,占功比調(diào)動(dòng),進(jìn)網(wǎng)側(cè)不用電抗器,不用前級(jí)調(diào)功可控硅。對(duì)電網(wǎng)和其他設(shè)備影響甚微;而可控硅中頻,用電抗器平波,前級(jí)可控硅調(diào)功,諧波嚴(yán)重,對(duì)電網(wǎng)和同網(wǎng)設(shè)備有較嚴(yán)重諧波干擾。
9,本設(shè)備設(shè)有全面的閉環(huán)保護(hù),保護(hù)速度為納秒級(jí):(1/1000000秒級(jí))保證本設(shè)備主電路正常工作,主器件不損壞??煽毓枋街蓄l則常常燒壞昂貴的快速熔斷器及可控硅。
10,本設(shè)備采用國(guó)際最先進(jìn)的PWM控制,占功比調(diào)動(dòng),進(jìn)網(wǎng)側(cè)不用電抗器,不用前級(jí)調(diào)功可控硅。對(duì)電網(wǎng)和其他設(shè)備影響甚微;而可控硅中頻,用電抗器平波,前級(jí)可控硅調(diào)功,諧波嚴(yán)重,對(duì)電網(wǎng)和同網(wǎng)設(shè)備有較嚴(yán)重諧波干擾。
11,本設(shè)備符合國(guó)際通行3S標(biāo)準(zhǔn)(SURE可靠、SAFE安全、SAVING節(jié)約),及3C標(biāo)準(zhǔn)(C00L低溫、CLEAN清潔、CLAM安靜)
12,本設(shè)備加熱速度快,生產(chǎn)是效率高,易于機(jī)械化與自動(dòng)化,可方便與下道工序設(shè)備街接,實(shí)現(xiàn)同步、同節(jié)拍生產(chǎn)。
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