※ 1> 產(chǎn)品系列
基于碳化硅陶瓷高強(qiáng)度、高硬度、抗腐蝕、耐高溫和低密度等特點(diǎn),泛銳研究院研發(fā)了多種產(chǎn)品。詳細(xì)信息可訪問泛銳官網(wǎng):http://www.van-research.cn/portal.php?mod=list&catid=12
※ 2> C/SiC陶瓷基復(fù)合材料簡(jiǎn)介
碳化硅陶瓷因具有高強(qiáng)度、高硬度、抗腐蝕、耐高溫和低密度而被廣泛用于高溫和某些苛刻的環(huán)境中,尤其在航空航天飛行器需要承受極高溫度的特殊部位具有很大的潛力。但是,陶瓷不具備像金屬那樣的塑性變形能力,在斷裂過程中除了產(chǎn)生新的斷裂表面吸收表面能以外,幾乎沒有其它吸收能量的機(jī)制,這就嚴(yán)重限制了其作為結(jié)構(gòu)材料的應(yīng)用。碳纖維具有比強(qiáng)度高、比模量大、高溫力學(xué)性能和熱性能良好等優(yōu)點(diǎn),在惰性氣氛中2000℃時(shí)仍能保持強(qiáng)度基本不下降。用碳纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料,材料在斷裂的過程中通過纖維拔出、纖維橋聯(lián)、裂紋偏轉(zhuǎn)等增韌機(jī)制來消耗能量,使材料表現(xiàn)為非脆性斷裂。C/SiC復(fù)合材料綜合了碳纖維優(yōu)異的高溫性能和碳化硅基體高抗氧化性能,受到了世界各國的高度關(guān)注,并廣泛應(yīng)用在航空、航天、光學(xué)系統(tǒng)、交通工具等領(lǐng)域。
※ 3> C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的優(yōu)異性能
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料具有耐高溫、低密度、高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高耐磨性、高阻尼系數(shù)、熱輻射系數(shù)高、性能可設(shè)計(jì)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
(1)耐高溫
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料與傳統(tǒng)材料相比具有更耐高溫的特點(diǎn),其可實(shí)現(xiàn)在1650℃以下長壽命使用,在1650℃至2200℃有限壽命使用,在2200℃至3000℃瞬時(shí)壽命使用。
(2)低密度
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的密度基本在2g/cm3,與高溫合金8g/cm3的密度相比具有較大的優(yōu)勢(shì),在航空航天領(lǐng)域應(yīng)用時(shí)可以結(jié)構(gòu)減重1/2至2/3左右。
(3)抗燒蝕性能好
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料具有優(yōu)異的抗燒蝕性能,在6500 KW ·m-2的熱流密度條件下其線燒蝕率僅為0.01mm·s-1。
(4)熱膨脹變化系數(shù)小
不同編織方式制備的C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)如表1所示,可見其在受熱情況下熱膨脹變化很小。
(5)性能可設(shè)計(jì)性強(qiáng)
通過采用不同的纖維預(yù)制體編織方式,可以實(shí)現(xiàn)材料性能的預(yù)先設(shè)計(jì),在滿足性能要求的前提下也達(dá)到可以節(jié)約成本的目的。
※ 4> C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備工藝
C/SiC和C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備工藝的關(guān)鍵是:纖維損傷??;纖維/基體界面結(jié)合強(qiáng)度適中;克服基體致密化過程中的“瓶頸效應(yīng)”;制備成本低。經(jīng)過兩年多的科學(xué)實(shí)驗(yàn)研究,河南泛銳復(fù)合材料研究院已掌握制備C/SiC和C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材料的基備工藝:先驅(qū)體浸漬裂解法(Precursor infiltrationpyrolysis, PIP)、化學(xué)氣相滲透法(Chemical vaporinfiltration, CVI)、液相滲硅法(Liguid silicon infiltration,LSI)及綜合工藝。
泛銳研究院可提供真空熔煉爐(Ni基,F(xiàn)e基,Cu基合金熔煉),真空氣淬爐(Ni基,F(xiàn)e基,Cu基合金熱處理),氣氛燒結(jié)爐(室溫~2200℃,粉末燒結(jié),固相浸滲等),等靜壓設(shè)備(粉末冶金坯體制備);超高溫?zé)Y(jié)爐(室溫~3000℃,石墨化處理,高溫裂解,碳化,陶瓷燒結(jié)等),化學(xué)氣相沉積爐(碳化硅涂層,熱解碳等碳化物涂層),真空壓力浸漬爐(樹脂、瀝青、酚醛、陶瓷先驅(qū)體浸滲);泛銳研究院出品,軍工標(biāo)準(zhǔn) 品質(zhì)保障。