區(qū)別:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。
NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。
貼片電容的好處主要在于生產(chǎn)方面,其自動化程度高,精度也高!
在性能方面,直立式電容對頻率的適應(yīng)性差一些,不過不到500MHz以上的頻率是很難體現(xiàn)出差異的。使用插件式安裝的電容中也有很好的產(chǎn)品,例如CHEMICON的PS系列有一部分就是使用插件式的。
無論是插件還是貼片電容的安裝工藝,電容本身都是直立于PCB的,根本的區(qū)別方式是貼片電容的工藝安裝,有黑色的橡膠底座。
在運(yùn)輸途中不像插件式那樣容易受損。但是貼片工藝安裝需要波峰焊工藝處理,電容經(jīng)過高溫之后可能會影響性能,尤其是陰極采用電解液的電容,經(jīng)過高溫后電解液可能會干枯。插件工藝的安裝成本低,因此在同樣成本下,貼片電容本身的性能可以更好一些。
Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá) 22%到-82%。
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃
溫度特性 22% ---- -82%
介質(zhì)損耗 最大 5%
貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。