曝光方式
所謂“曝光”是指原稿通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)(包括曝光燈、反光策、反射鏡、光鬧及鏡頭
等》將光像投射在已充電敏化的光導(dǎo)體膜層上,并使充電過(guò)程中光導(dǎo)層上原為均勻分布的
電荷,因受到一定量級(jí)光能的作用,而使其局部表面的電位有所下降,形成為與原稿圖
像相對(duì)應(yīng)的由電荷組成的靜電潛像.
高壓電Vil內(nèi)阻電源的內(nèi)阻(即高壓發(fā)生器的內(nèi)阻),對(duì)于電暈電流會(huì)產(chǎn)生很明顯的
影響.在設(shè)計(jì)各種電暈充電的電暈器時(shí),其主要根據(jù)是光導(dǎo)體材料的性質(zhì)和進(jìn)行辭電復(fù)
印的整機(jī)要求.而設(shè)計(jì)高壓電源時(shí),應(yīng)以電暈充電的要求作為依據(jù),具體而言,應(yīng)取決于
電暈充電電極和光導(dǎo)層表面之問(wèn)的距離.即在負(fù)載固定的條件下,高壓電源的空載電壓和
內(nèi)阻必須合理.否tI1,充電電流不足,光電導(dǎo)材料的最大靈敏度不能充分發(fā)揮和利用,靜
電潛像的反差電位小.電壓過(guò)高時(shí),會(huì)造成擊穿放電而損壞光導(dǎo)層.對(duì)于電源內(nèi)阻,應(yīng)考
慮使負(fù)載能獲得最大功率作為條件,即應(yīng)盡力做到使電源內(nèi)阻和負(fù)載電阻相等的條件.
為了提高靜電復(fù)印的效率和實(shí)現(xiàn)高速化,光導(dǎo)體感光度的高低是具有決定作用的。
當(dāng)光導(dǎo)體表面被充電以后,在光的照射下,光導(dǎo)層由于光的激勵(lì),生成空穴一電子對(duì),
在電場(chǎng)的作用下,空穴與電子分別向不同方向遷移,移動(dòng)時(shí)產(chǎn)生光電流,使得表面電
位衰減,這種衰減與曝光最的大小、時(shí)間的長(zhǎng)短有關(guān),曝光量大或曝光時(shí)間長(zhǎng)的,生成
的光生自由載流子越多,則表面電位衰減得越快,反之則光生自由載流子就越少,表面
電位衰減得越慢.這種表面電位在光照下的衰減,稱為“亮衰減”或“亮衰,,(參見(jiàn)圖
2-2中的‘a(chǎn)-V:所示).不同的光電導(dǎo)材料在同樣的光線照射下,表面電位的衰減程度
是不同的.這種不同的亮衰速度,就是光導(dǎo)體的感光靈敏度,或稱感光度.