美國熱電賽默飛ARL4460全譜直讀光譜儀金屬分析儀
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一、性能說明
ARL 4460金屬分析儀集當今Z新分析技術(shù)于一體,它采用了其專li技術(shù)電流控制光源(CCS)和時間解析光譜(TRS)技術(shù),并與獨具特色的工廠校正曲線和自診斷功能相結(jié)合,將分析技術(shù)帶入一嶄新天地。不但可以進行常規(guī)分析,還可大限度地滿足金屬光變分析工作者的各種復雜要求。耐久可靠的結(jié)構(gòu)設計和制造工藝,確保儀器在種惡劣環(huán)境下都具有卓越的分析性能穩(wěn)定,可靠的硬件
1. 很好的工廠校正曲線
2. 優(yōu)勢的光譜制造技術(shù)
3. 優(yōu)秀的分析軟件
4. 分析準確度更高,分析速度更快
5. 分析痕量元素和氣體元素具有新的突破
6. 分析范圍廣泛:適于分析鋼鐵,鋁,銅,鎂,錫,鉛,鋅,貴金屬等金屬材料
7. 對操作人員無特殊要求
二、技術(shù)規(guī)格
1、光普室設計:一米焦距,帕邢龍格裝置,真空型,恒溫控制(38±0.10C),特殊鑄鐵材料制造,Z多設置60條通道
2、試樣臺:充氬樣品臺;內(nèi)置自循環(huán)水冷系統(tǒng)
3、光柵:根據(jù)分析任務,儀器配置以下三種光柵中的一種1080gr/mm,1667gr/mm,2160gr/mm
4、分辨率:視光柵,出射狹縫和光譜等到級而定
5、狹縫寬度:入射狹縫:20um;出射狹縫:25 ,
37.5 , 50 , 75um
6、光電倍增管:直經(jīng)Φ28mm,10級側(cè)窗管,光學玻璃或人造石英窗
7、光源:電流控制光源(CCS)
8、光譜儀控制:利用CMOS技術(shù)的APL MMB386微處理器,帶狀態(tài)控制卡;每條通道均配置數(shù)模(A/D)轉(zhuǎn)換器和衰減器分為41檔;測量電子部分的動態(tài)范圍與測量時間成正比,一般為2×106計數(shù)/秒12位可編程衰減器時間分辨光譜(TRS)
9、環(huán)境要求:室溫:16~300C,Z大允許溫差為50C/小時;相對濕度20~80%
10、電力要求:電壓230V(+10%-15%),保護性接地的單相電源(電壓波動超過±10%時需用5KV((穩(wěn)壓器)。電流12A,頻率50或60Hz;功率2.5KVA;接地電阻<1Ω歐洲標準:89/392/EEC低壓材料,89/366/EEC電磁氬氣要求:純度99.995%,Z大含量5ppm(分析高Si樣品時,Z大含量為2ppm)流量3.5升/分(分析時),0.35升/分(待機時)
11、幾何尺寸:長1385×寬910×高1220mm長1690
12、系統(tǒng)重理:約540公斤
三、儀器技術(shù)優(yōu)勢介紹
電流控制光源(CCS)
1、CCS為火花發(fā)射光譜分析的樣品采集和激發(fā)過程提供了準確穩(wěn)定,連續(xù)的控制;Thermo通過對不同類型的金屬材料研究,開發(fā)出各種適合不同合金類型的合適激發(fā)條件,從而獲得了較好的分析靈敏度,精度,和很短的分析時間。
2、在火花放電過程中,預燃電流波形為樣品表面的微熔過程提供極大的“電流密度”,從而能在極短的時間內(nèi)達到均勻狀態(tài)。積分電流波形:(1)為樣品采集提供重現(xiàn)性極高的峰電流(2)為激發(fā)合金元素和痕量元素提供合適的平臺電流。
時間分析光譜技術(shù)(TRS)
1、電流波形和每次放電“時間窗口”(即光被積分的時間段)決定了第個元素的分析靈敏度。在電流波形中,選擇適當?shù)?span lang="EN-US">TRS窗口位置,可以:(1)避開放電初始階段產(chǎn)生背景的高峰電流,(2)確定具有合適期售背比的平臺電流階段為種分時間段。從而獲得合適期的靈敏度和精度。別外,由于TRS的獨特數(shù)據(jù)采集功能,對某些元素而言,當分析波長和干擾波長之間存在一定的泊發(fā)電勢差時可以明顯地改進痕量元素的校正曲線擬合線的準確性。
CARL工廠校正曲線
1、依靠多年種累的國際標樣庫,每條曲線均由幾十塊標樣建立,比現(xiàn)場建立的分析曲線有更多的數(shù)據(jù)點。
2、獨有的校正軟件,不僅可以修正光譜干擾,還可以扣除背景干擾,提高了分析結(jié)果的準確度,準確度(相對標準偏差)優(yōu)于1%。
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