光伏太陽(yáng)能回收

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硅單晶按拉制方法不同分為無(wú)坩堝區(qū)熔(FZ)單晶與有坩堝直拉(CZ)單晶。區(qū)熔單晶不受坩堝污染，純度較高，適于生產(chǎn)電阻率高于20歐·厘米的N型硅單晶(包括中子嬗變摻雜單晶)和高阻 P型硅單晶。由于含氧量低，區(qū)熔單晶機(jī)械強(qiáng)度較差。

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在米粒大的硅片上，已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管，這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。

地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲(chǔ)量最豐富的元素之一，對(duì)太陽(yáng)能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場(chǎng)(mass market)的產(chǎn)品而言，儲(chǔ)量的優(yōu)勢(shì)也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

用單晶硅基底通過光刻、PECVD、PVD、ICP等方法加工各類微米級(jí)圖形 圖形加工精度：1um，加工范圍：2-8英寸（含不規(guī)則片）           硅片陣列圓孔深刻蝕          深刻蝕圓孔           硅4um光柵刻蝕

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