STF12NK60Z

意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術(shù)增強了功率處理能力，從而實現(xiàn)了高效解決方案。 產(chǎn)品的主要特性包括： 擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V 30多種封裝選項，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV 為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝） 改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求 面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管 在各個支持負載點、電信DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC、開關模式電源和汽車設備等應用的電壓范圍內(nèi)，意法半導體都有符合您設計要求的MOSFET。 意法半導體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉(zhuǎn)換器）的理想之選，同時還支持PFC、TTF或反激式硬開關拓撲。與上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運行。 STF12NK60Z N-channel 600 V, 0.53 Ohm, 10 A Zener-protected SuperMESH(TM)2 Power MOSFET in a TO-220FP package NRND The SuperMESH? series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, specialties is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding application. Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs. 下載 數(shù)據(jù)表 Key Features Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing repeatability